반도체 회로 선폭이 줄어들면서 발생하는 이른바 ‘전기 동맥경화’ 현상을 해결할 물질이 개발됐다.

UNIST는 반도체소재부품대학원 김수현 교수팀이 차세대 반도체 배선 소재인 루테늄의 새로운 원료 물질(전구체)과 이를 적용한 원자층 증착 공정(atomic layer deposition, ALD)을 개발했다고 18일 밝혔다.

루테늄은 선폭이 줄어들어도 저항 증가가 상대적으로 완만해 차세대 배선 소재로 주목받고 있다. 구리와 달리 별도의 확산방지층이 필요하지 않아 구조를 더 간단하게 만들 수 있다는 장점도 있다.

김수현 교수는 “차세대 로직 및 메모리 반도체 양산 공정의 수율과 성능 경쟁력을 높이는 데 기여할 것”이라고 말했다. 이다예기자 ties@ksilbo.co.kr